絕緣柵雙極性晶體管，簡(jiǎn)稱IGBT，現(xiàn)如今被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、 4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子)、航空航天、國(guó)防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

IGBT模塊集合了MOSFET器件和雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、通斷速度快、工作頻率高、元件容量大等卓越性能。國(guó)內(nèi)功率IGBT模塊生產(chǎn)量和使用量較大的單位均配備一定的IGBT參數(shù)測(cè)試設(shè)備，這些年來(lái)，此類設(shè)備的需求量在不斷地增大。雖然在這些測(cè)試設(shè)備中，進(jìn)口設(shè)備占絕大多數(shù)，不過(guò)，國(guó)內(nèi)也有一些不錯(cuò)的測(cè)試設(shè)備品牌。如深圳威宇佳智能控制有限公司生產(chǎn)的IGBT全動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備。

該設(shè)備可測(cè)試IGBT、SiC等開(kāi)通、關(guān)斷、短路、柵極電荷以及二極管反向恢復(fù)各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)，兼容單管、半橋、四單元、六單元、PIM等絕大多數(shù)封裝的IGBT模塊及DBC。它的測(cè)試速度快，測(cè)試精度高，能夠和進(jìn)口品牌設(shè)備相媲美，并且可靠性高。設(shè)備半自動(dòng)化，自動(dòng)進(jìn)出料，電壓電流規(guī)格最大2000V/2000A，短路電流最高5000A，同時(shí)用戶可以根據(jù)需求來(lái)定制更高電壓電流規(guī)格。

深圳威宇佳智能控制有限公司，是以IGBT、MOSFET、SiC等為主要功率半導(dǎo)體的測(cè)試設(shè)備開(kāi)發(fā)制造企業(yè)，團(tuán)隊(duì)核心技術(shù)成員來(lái)自于IGBT設(shè)備、模塊開(kāi)發(fā)及測(cè)試應(yīng)用領(lǐng)域等國(guó)內(nèi)外大型企業(yè)，公司開(kāi)發(fā)的IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備（1500V/2000A)為國(guó)內(nèi)首創(chuàng)，打破國(guó)外壟斷，并已在國(guó)內(nèi)多家大型IGBT功率半導(dǎo)體模塊廠家批量應(yīng)用。

基于多年的電力電子裝置和功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)及應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，威宇佳公司的測(cè)試夾具具備業(yè)內(nèi)更低的雜散電感，并且更換夾具速度極快，最快不到20秒。這款I(lǐng)GBT全動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備的測(cè)試夾具采用壓接方式，連接電感小，即插即用，更換夾具便捷，可兼容多種封裝的模塊及DBC。該設(shè)備采用了軟硬件結(jié)合的過(guò)流保護(hù)機(jī)制，保護(hù)速度快（<3us），保護(hù)電流值可預(yù)設(shè)。具有自動(dòng)短路測(cè)試功能和Qg測(cè)試功能。IGBT模塊/芯片測(cè)試設(shè)備機(jī)臺(tái)寄生電感<50nH。

隨著電力電子器件制造技術(shù)的進(jìn)步和變流技術(shù)的完善，IGBT器件的功率變流裝置的應(yīng)用在很多領(lǐng)域得到極大的拓展，比如在機(jī)車牽引、新能源發(fā)電、電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。因此，對(duì)IGBT可靠性的要求較高，國(guó)內(nèi)IGBT全動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備的出現(xiàn)，在一定程度上保證了檢測(cè)參數(shù)的高度一致性。